[发明专利]带多层反射膜的基板、反射型掩模坯料及反射型掩模、以及半导体装置的制造方法在审
申请号: | 202010221959.3 | 申请日: | 2020-03-26 |
公开(公告)号: | CN111752085A | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 中川真德;小坂井弘文 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/24 | 分类号: | G03F1/24;G03F7/20 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王利波;杨薇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的目的在于提供一种带多层反射膜的基板,其用于制造具有对曝光光的反射率高、且在缺陷检查时的背景水平低的多层反射膜的反射型掩模坯料及反射型掩模。为此,本发明的带多层反射膜的基板具备用于反射曝光光的多层反射膜,该多层反射膜由在该基板上交替层叠有低折射率层和高折射率层的多层膜构成,上述多层反射膜含有钼(Mo)、和选自氮(N)、硼(B)、碳(C)、锆(Zr)、氧(O)、氢(H)及氘(D)中的至少1种添加元素,由基于X射线衍射得到的Mo(110)的衍射峰计算出的上述多层反射膜的雏晶尺寸为2.5nm以下。 | ||
搜索关键词: | 多层 反射 型掩模 坯料 以及 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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