[发明专利]一种高亮度半导体发光二极管芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 202010222244.X | 申请日： | 2020-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN111244238A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 汪延明;季辉 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/22;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人： | 周晓艳;张勇 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种高亮度半导体发光二极管芯片，包括图形化蓝宝石衬底，所述图形化蓝宝石衬底包括上表面带有凸起图文的蓝宝石基底，所述凸起图文上设有DBR图层。本发明的芯片，蓝宝石衬底上设置凸起图文，利于磊晶生长时成核，提高晶体质量和抗ESD能力；凸起图文上有DBR图层，提高衬底对有源区发出的光的反射率，从而提高发光强度。本发明还公开一种上述芯片的制作方法，采用独特的图形化蓝宝石衬底制作工艺，获得高质量的图形化蓝宝石衬底，再结合缓冲层、n型氮化物半导体层、电流扩展层、有源层、p型氮化物半导体层、电流阻挡层和透明导电层的沉积及N型电极和P型电极的制作，获得发光亮度高、抗静电能力和抗反向电压性能好的LED产品。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 亮度 半导体 发光二极管 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘能华磊光电股份有限公司，未经湘能华磊光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010222244.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：环保型蜡纸箱用热熔胶及其制备方法
- 下一篇：一种供电线路融冰装置
