[发明专利]一种反射镜和P电极相互独立的AlGaInP LED芯片及制备方法在审
| 申请号： | 202010222574.9 | 申请日： | 2020-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN111200045A | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 吴小明;陈芳;陶喜霞;王光绪;李树强;江风益 | 申请（专利权）人： | 南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/46;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 330031 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种反射镜和P电极相互独立的AlGaInP LED芯片及制备方法，所述芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、P电极金属层、反射金属层、低折射率介质层、P型掺杂层、发光层、具有粗化表面的粗化层、N型掺杂层、N电极，所述反射金属层与所述低折射率介质层构成全方位反射镜，反射金属层与低折射率介质层上设有若干P电极孔，P电极金属层通过P电极孔与P型掺杂层接触；N电极由焊盘和若干扩展电极线组成，P电极孔位于相邻的扩展电极线之间。本发明提出的反射镜和P电极相互独立的AlGaInP LED芯片，可以同时兼顾高光反射率和低欧姆接触，最终可以提高AlGaInP LED芯片的电光转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反射 电极 相互 独立 algainp led 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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