[发明专利]沟槽栅极沟槽场板垂直MOSFET有效
| 申请号： | 202010222697.2 | 申请日： | 2014-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN111403472B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | M·丹尼森;S·彭德哈卡尔;G·马图尔 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/40;H01L29/423;H01L29/51;H01L29/78;H01L21/225;H01L21/283;H01L21/324;H01L21/8234;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 魏利娜 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开沟槽栅极沟槽场板垂直MOSFET。在所描述的示例中，一种具有垂直漏极延伸MOS晶体管(110)的半导体器件(100)可以通过形成深沟槽结构(104)以定义晶体管(110)的至少一个垂直漂移区(108)而形成，使得每个垂直漂移区(108)在至少两个对侧上被深沟槽结构(104)限制。深沟槽结构(104)被间隔开以形成漂移区(108)的RESURF区域。沟槽栅极(114)被形成在衬底(102)中的沟槽内并位于垂直漂移区(108)上方。本体区(118)位于衬底(102)内并在垂直偏移区(108)上方。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 栅极 垂直 mosfet | ||
【主权项】：
暂无信息
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