[发明专利]封装组件及其形成方法在审
| 申请号： | 202010222958.0 | 申请日： | 2020-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN112490135A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 陈振宇;刘铭棋;陈逸群 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L25/16;H01L33/44;H01S5/028 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一些实施例中，本发明涉及一种形成封装组件的方法。在半导体衬底的前侧上方形成湿式蚀刻终止层。在湿式蚀刻终止层上方形成牺牲半导体层，以及在牺牲半导体层上方形成干式蚀刻终止层。可在干式蚀刻终止层上方形成半导体装置层的堆叠。执行接合工艺以将半导体装置层的堆叠接合到集成电路管芯的前侧，其中半导体衬底的前侧面向集成电路管芯的前侧。执行湿式蚀刻工艺以去除半导体衬底，以及执行干式蚀刻工艺以去除湿式蚀刻终止层和牺牲半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 组件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
