[发明专利]一种宽光谱响应的雪崩光电二极管及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202010224256.6 申请日: 2020-03-26
公开(公告)号: CN111653637A 公开(公告)日: 2020-09-11
发明(设计)人: 张江勇;林志东 申请(专利权)人: 厦门市三安集成电路有限公司
主分类号: H01L31/0304 分类号: H01L31/0304;H01L31/107;H01L31/18
代理公司: 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 代理人: 张松亭;陈淑娴
地址: 361000 福建省厦门*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开了一种宽光谱响应的雪崩光电二极管,包括第一电极、衬底、底部外延层、窗口层和第二电极,所述第一电极设于所述衬底下方,所述底部外延层和窗口层依次设于所述衬底上,其中所述窗口层形成有扩散区,且窗口层于扩散区的下方形成雪崩区;所述扩散区中部设有凹槽,所述第二电极设于所述扩散区位于凹槽外侧的上方。本发明还公开了其制作方法。本发明通过在光敏区设置凹槽,减少窗口层的厚度,减少了上述材料对特定波段光的吸收,从而使入射光更有效的被吸收层吸收,扩大了雪崩光电二极管的光谱响应范围。
搜索关键词: 一种 光谱 响应 雪崩 光电二极管 及其 制作方法
【主权项】:
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