[发明专利]一种钽酸锂晶片异质键合的方法在审
| 申请号： | 202010225144.2 | 申请日： | 2020-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN111519255A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 张学锋;肖学峰 | 申请（专利权）人： | 宁夏钜晶源晶体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/06 | 分类号： | C30B33/06;C30B29/30;C30B29/06;H03H3/007 |
| 代理公司： | 宁夏合天律师事务所 64103 | 代理人： | 周晓梅 |
| 地址： | 753000 宁夏回族自治区石嘴山市大*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | 本发明提出一种钽酸锂晶片异质键合的方法，包括以下步骤：将单晶硅片与钽酸锂晶片相对设置，保持单晶硅片表面的薄膜层与钽酸锂晶片相对设置，放入键合机；中温加热，并维持至少1h，完成一次键合，形成一次键合体；将一次键合体放入退火炉，高温加热退火，完成二次键合；其中，单晶硅片表面的薄膜层与碳酸锂晶片层为异种材质；发明采用中温一次键合之后，又基于两种材质热膨胀系数不同的特性，设计了高温二次键合，即退火工艺，通过退火改变两层之间的结合键的类型，增强两层之间的结合力，避免层与层之间的剥离。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钽酸锂 晶片 异质键合 方法 | ||
【主权项】：
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