[发明专利]一种Ta-Ge-Sb-Te相变材料及其制备方法和相变存储器单元

摘要

本申请提供一种Ta‑Ge‑Sb‑Te相变材料及其制备方法和相变存储器单元，该Ta‑Ge‑Sb‑Te相变材料包括钽(Ta)元素、锗(Ge)元素、锑(Sb)元素和碲(Te)元素，所述Ta‑Ge‑Sb‑Te相变材料的化学式为TaxGeySbzTe100‑x‑y‑z，其中，2≤x≤15，5≤y≤50，5≤z≤70。本申请提供的Ta‑Ge‑Sb‑Te相变材料可以通过调节钽(Ta)元素、锗(Ge)元素、锑(Sb)元素和碲(Te)元素的含量以及薄膜的厚度得到不同结晶温度、电阻率和结晶激活能的存储材料，本申请提供的Ta‑Ge‑Sb‑Te相变材料，与传统的Ge2Sb2Te5相比，具有更高的热稳定性，更强的数据保持力，更快的结晶速度。