[发明专利]一种OTS选通材料、OTS选通单元及其制备方法和存储器有效

专利信息
申请号: 202010225621.5 申请日: 2020-03-26
公开(公告)号: CN111463346B 公开(公告)日: 2023-03-21
发明(设计)人: 宋志棠;宋三年;薛媛;袁祯晖 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: H10N70/20 分类号: H10N70/20
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;贾允
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及微纳电子技术领域,特别涉及一种OTS选通材料、OTS选通单元及其制备方法和存储器,所述OTS选通材料包括GeSe组分、As3Se4组分及掺杂元素(M),所述OTS选通材料的化学通式为(GeSe)x(As3Se4)yMz,其中M为Ta、Si、Ge、Te、C、W、N、O、P中的一种或多种,x、y、z满足4x20,7y14,0z15,以及2x+7y+z=100。本发明所提供OTS材料在外部电场作用下,当电压达到阈值电压时,材料能够实现高阻态到低阻态的瞬时转换;当撤掉外部能量时,又能够立刻由低阻态转变为高阻态。基于所述OTS材料制备的OTS选通单元具有高热稳定性、高开关速度、大开启电流、高开关比、低阈值电压、高循环寿命等优点,可用于高密度与三维海量相变存储器的制造。
搜索关键词: 一种 ots 材料 单元 及其 制备 方法 存储器
【主权项】:
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