[发明专利]功率半导体模块及其制造方法在审
| 申请号： | 202010227083.3 | 申请日： | 2020-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111799250A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | C·施魏克特;J·赫格尔;O·霍尔菲尔德;W·雅各比 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L21/98;H01L23/367 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘炳胜 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种功率半导体模块包括：布置于第一和第二衬底之间并且电耦合到第一和第二衬底的功率半导体芯片；以及温度传感器，其布置于第一和第二衬底之间并且横向地布置在功率半导体芯片旁边，使得温度传感器的第一侧面向第一衬底，并且温度传感器的第二侧面向第二衬底，其中温度传感器的第一电接触部布置于第一侧上并且电耦合到第一衬底，并且其中温度传感器的第二电接触部布置于第二侧上并且电耦合到第二衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 模块 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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