[发明专利]具有平顶底部电极的存储器装置及其形成方法在审
申请号: | 202010228979.3 | 申请日: | 2020-03-27 |
公开(公告)号: | CN113130531A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 闵仲强 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种存储器装置及其形成方法包括上覆在衬底上并位于存储器阵列区中的由存储器单元形成的阵列。存储器单元中的每一者包括包含底部电极、存储器元件、顶部电极的垂直堆叠以及位于每一垂直堆叠的侧壁上的介电侧壁间隔件。底部电极包括平顶部分,平顶部分水平延伸超过介电侧壁间隔件的外周边。装置还包括离散刻蚀停止介电层以及金属单元接触结构。本发明可在形成底部电极时保持顶部电极的厚度。 | ||
搜索关键词: | 具有 平顶 底部 电极 存储器 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的