[发明专利]一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法有效
| 申请号： | 202010229694.1 | 申请日： | 2020-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111441072B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;李景贤;陈政勋 | 申请（专利权）人： | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号： | C25D5/00 | 分类号： | C25D5/00;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 王依 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法,晶粒生产方法包括以下步骤：S1：晶圆键合，晶圆的正面完成金属垫工艺后，在晶圆上形成金属层，将晶圆的正面通过粘合剂键合在环形玻璃载板上；S2：减薄、S3：中间工艺、S4：背面切割、S5：蚀刻工艺、S6：粘合剂去除，采用氧气电浆蚀刻晶粒上的粘合剂，在粘合剂上形成凹槽使金属层露出；S7：电镀，对晶粒的双面进行电镀；S8：解键合，通过解键合将晶粒从玻璃载板上脱离。本发明双面电镀的晶粒生产方法通过中空的玻璃载板对晶粒双面电镀一次完成，取代传统的双面分布电镀的方式，提高了晶圆的生产效率，有利于降低晶圆的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶粒 切割 双面 电镀 生产 方法 | ||
【主权项】：
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