[发明专利]一种利用背景污染物促进痕量铜离子生成Cu(III)的水处理方法有效
| 申请号： | 202010230655.3 | 申请日： | 2020-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111392847B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 张涛;王丽红 | 申请（专利权）人： | 中国科学院生态环境研究中心 |
| 主分类号： | C02F1/72 | 分类号： | C02F1/72;C02F101/38;C02F101/30 |
| 代理公司： | 合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118 | 代理人： | 魏玉娇 |
| 地址： | 100085*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用背景污染物促进痕量铜离子生成Cu(III)的水处理方法，属于水污染处理技术领域。该处理方法利用痕量铜离子作催化剂处理有机污染物，无须复杂的催化剂制备过程及能量输入，避免带来产泥问题、催化剂失活和环境风险问题，减轻了后续处理的难度，安全经济。利用水和废水中自身的背景苯并三唑类污染物可进一步促进铜离子间的循环反应，明显降低Cu(II)投加量，无须额外添加还原剂改变反应动力学过程，节约成本，且不会带来二次污染。该方法适用水体pH范围广泛，在富氧和缺氧条件下均可进行，不易受到水质背景成分的影响，且不易与卤化物反应生成有毒有害的副产物，最终实现有机污染物的无害化处理。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 背景 污染物 促进 痕量 离子 生成 cu iii 水处理 方法 | ||
【主权项】：
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