[发明专利]一种PIPN结构的发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 202010230868.6 | 申请日： | 2020-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111403563B | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 卓祥景;万志;程伟;蔺宇航;尧刚 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆宗力 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种PIPN结构的发光二极管及其制备方法，该发光二极管在有源层和N型结构层之间设置了一层P型插入层，P型插入层一方面可作为电子的阻挡层，降低电子传输效率。另一方面由于P型插入层的存在，使得发光二极管由原本的PIN结构变成PIPN结构，这将大大减少整个有源层的内建电场，该内建电场的方向由N型结构层指向P型空穴供给层，即该内建电场对空穴的电场力阻碍了有源层中空穴往N型结构层方向的传输，因此对该内建电场的减弱有利于提高空穴向N型结构层方向的传输。P型插入层在这两方面的作用，可缩小电子和空穴传输效率的差异，从而使得电子和空穴在有源层中可以均匀分布，大大提高了电子和空穴的碰撞几率，进而提升辐射复合效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pipn 结构 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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