[发明专利]菲并氮杂奈类衍生物及其制备方法和电子器件在审
| 申请号： | 202010231057.8 | 申请日： | 2020-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111393436A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 崔林松;朱向东;张业欣;陈华 | 申请（专利权）人： | 苏州久显新材料有限公司 |
| 主分类号： | C07D471/04 | 分类号： | C07D471/04;C07D487/04;H01L51/00;H01L51/50;H01L51/54;H01L51/42;H01L51/46;H01L51/05;H01L51/30 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 215000 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种菲并氮杂奈类衍生物及其制备方法和电子器件，涉及有机光电材料技术领域。本发明菲并氮杂奈通过引入菲并氮杂奈类衍生物的稠环结构，得到的菲并氮杂奈类衍生物成膜性和热稳定性优异以及荧光量子产率较高，可用于制备有机电致发光器件、有机场效应晶体管和有机太阳能电池。另外，本发明的菲并氮杂奈类衍生物可以作为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子阻挡层、空穴阻挡层或电子传输层的构成材料，能够降低驱动电压，提高效率、亮度和寿命等。本发明还公开一种菲并氮杂奈类衍生物的制备方法，以及使用菲并氮杂奈类衍生物的电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 氮杂奈类 衍生物 及其 制备 方法 电子器件 | ||
【主权项】：
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