[发明专利]SONOS存储器及其制作方法有效
| 申请号： | 202010231443.7 | 申请日： | 2020-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111244104B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 齐瑞生;陆霄宇;刘政红;黄冠群;陈昊宇;邵华 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/40;H10B43/50 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SONOS存储器及其制作方法。所述SONOS存储器的制作方法包括提供半导体基底，再刻蚀半导体基底上依次形成的ONO层、栅氧化层和栅极材料层，得到存储管栅极叠层和选择管栅极叠层，然后在各栅极叠层侧面形成侧墙，再在露出的半导体基底表面上形成外延层，接着在外延层表面以及存储管栅极叠层和选择管栅极叠层的上表面形成金属硅化物层。由于在外延层上形成金属硅化物层，金属硅化物层与各栅极叠层下的沟道区不在同一高度上，可以避免因金属硅化物扩延导致的存储器沟道区漏电，从而可以避免由于沟道区漏电干扰而导致的存储器失效的问题，可以提升SONOS存储器的可靠性和生产良率。本发明还提供一种SONOS存储器。 | ||
| 搜索关键词： | sonos 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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