[发明专利]一种半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 202010231966.1 | 申请日： | 2020-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN113451134B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 钱亚峰;张婉娟;朱占魁;李晓波 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/423;H01L21/027;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的形成方法，包括提供器件版图，分别对各初始栅极插塞槽图形周围阈值区域内的源漏插塞槽图形进行扫描，从而获得各初始栅极插塞槽图形的密度参数；根据密度参数，分别对各初始栅极插塞槽图形进行补偿，得到栅极插塞槽修正图形，且栅极插塞槽修正图形的特征尺寸随密度参数的增大而减小；刻蚀平坦层和介质层以形成栅极插塞槽。采用上述方案，在源漏插塞槽的密度较大的区域，刻蚀介质层和平坦层的速率较小，避免了在刻蚀形成栅极插塞槽时出现过刻蚀的问题。在源漏插塞槽的密度较小的区域，刻蚀介质层和平坦层的速率较大，避免了在刻蚀形成栅极插塞槽时出现刻蚀不足的问题。由此，最终形成的栅极插塞槽的形貌更均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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