[发明专利]电子器件相变温控组件相变材料的灌注方法在审
| 申请号： | 202010233546.7 | 申请日： | 2020-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN111574965A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 苏欣;赖复尧;阎德劲 | 申请（专利权）人： | 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所) |
| 主分类号： | C09K5/06 | 分类号： | C09K5/06;C09K5/14 |
| 代理公司： | 成飞(集团)公司专利中心 51121 | 代理人： | 郭纯武 |
| 地址： | 610036 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出的一种基于真空发生器的相变材料灌注方法，旨在提供一种基于真空发生器产生真空环境并能进一步提升现有相变温控组件中相变材料填充率的工艺方法，本发明通过下述技术方法予以实现：以孔隙率＞92％的泡沫金属与石蜡组合作为填充相变储热材料；制备种以上兼具有无机相变材料和有机相变材料的相变复合材料储热单元；然后将相变温控组件毛坯密封腔体置于真空熔灌烘箱的底端，连接真空发生器，同时连通注入压缩空气的灌注容器；加热相变储热材料至全部融化为液态；真空发生器利用正压气源，吸附腔在管道内通正压气体而产生负压，形成一定真空度；通过真空减压阀控制通入压缩空气的灌注容器，将相变储热材料注入相变温控组件内参与相变。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 相变 温控 组件 材料 灌注 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)，未经西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010233546.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
