[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010233735.4 | 申请日： | 2020-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN111370467B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 乔明;李欣键;袁章亦安;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，包括集成于同一芯片上的第一类高压nLDMOS器件、第一类高压pLDMOS器件、第二类高压nLDMOS器件、第二类高压pLDMOS器件、低压NMOS器件、低压PMOS器件和低压NPN器件；第一p型降场层位于表面使得导电通道下移，从而减小热载流子效应，提高了器件可靠性，n型重掺杂层、p型降场层、n型深阱、p型阱、p型衬底形成多重RESURF结构，降低了高压器件的比导通电阻，从而降低芯片的制造成本。本发明在相同芯片面积的情况下具有更小的导通电阻，对比传统无n型重掺杂层的结构，本发明的n型重掺杂层能使器件的导通电阻和动态电阻减小，nLDMOS器件还具有输入阻抗高、输出阻抗低等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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