[发明专利]晶圆缺陷监控方法及其监控系统有效
| 申请号： | 202010233951.9 | 申请日： | 2020-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN111403310B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 罗兴华;王恺;张兴棣 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆缺陷监控方法，其用于集成电路制造生产线线上晶圆缺陷监控，包括：通过缺陷扫描机台对晶圆进行扫描获取第一最小重复完整单元和第二最小重复完整单元的灰阶信号；第一预设时段内第一最小重复完整单元预设位置的灰阶信号；将第一最小重复完整单元和第二最小重复完整单元的灰阶信号进行对比判断是否存在晶圆静态缺陷；将第一预设时段内不同时刻第一最小重复完整单元预设位置的灰阶信号进行对比，判断是否触发该第一最小重复完整单元预设位置晶圆动态缺陷预警。本发明还公开了一种晶圆缺陷监控方法系统。本发明能判断识别晶圆静态缺陷和晶圆动态缺陷并进行晶圆动态缺陷预警，能防止扫描过程对缺陷产生影响，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 监控 方法 及其 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
