[发明专利]一种碳硅陶瓷靶材的制备方法有效
| 申请号： | 202010234099.7 | 申请日： | 2020-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111320478B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 白雪;刘宇阳;王星奇;杨磊;桂涛;王星明;储茂友;韩沧 | 申请（专利权）人： | 有研资源环境技术研究院（北京）有限公司;有研科技集团有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/575 | 分类号： | C04B35/575;C04B35/573;C04B35/622;C04B35/645;C04B35/65;C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 101407 北京市怀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳硅陶瓷靶材的制备方法。该制备方法包括以下步骤：(1)根据要制备的靶材的碳硅比，称量石墨粉体、单质硅粉体、SiC粉体，其中单质硅粉体占三者总量的5at％‑15at％；(2)将石墨粉体与单质硅粉体采用卧轴球磨法破碎和混合，得到碳硅预球磨粉体；(3)在碳硅预球磨粉体中添加已称量好的SiC粉体，并置于卧轴球磨罐内球磨混合2小时，得到复合原料粉体；(4)将复合原料粉体筛分后，装入石墨模具中，将模具放在热压炉中，抽真空＜500pa时充入氩气，采用前段快速升温、中段液相烧结和高温氩气保护烧结；(5)冷却得到碳硅陶瓷靶材坯料，经加工、清洗、烘干得到碳硅陶瓷靶材。本发明制备的碳硅陶瓷靶材的相对密度大于90％，硅掺杂含量误差+/‑1at％，电阻率低于0.05Ω·cm，适用于溅射制备DLC薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
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