[发明专利]一种多层复合陶瓷盘及其制造方法有效
| 申请号： | 202010234112.9 | 申请日： | 2020-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111620701B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 张巨先 | 申请（专利权）人： | 烟台睿瓷新材料技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;C04B35/622;C04B35/10;C04B41/88;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张立改 |
| 地址： | 265200 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种多层复合陶瓷盘及其制造方法，涉及半导体和材料科学领域。所述复合陶瓷盘包括至少一个基础三明治结构，包括：用陶瓷粉体制备一个片状陶瓷素坯；把陶瓷素坯在低于烧结温度的预烧结温度下，进行预烧结，得到具有一定强度的预烧结陶瓷件；在预烧结陶瓷件的上表面上形成一金属电极层；将预烧结陶瓷件放入模具中，且覆有金属电极层的上表面朝上；在预烧结陶瓷件上表面提供一陶瓷前体层；沿着预烧结陶瓷件轴向方向在烧结温度下加压烧结成一体，所述预烧结陶瓷件经加压烧结形成第二陶瓷层，所述陶瓷前体层经加压烧结形成第一陶瓷层，其中，所述金属电极层位于所述第一陶瓷层和第二陶瓷层之间并与第一陶瓷层和第二陶瓷层形成一基础三明治结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 复合 陶瓷 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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