[发明专利]一种蓝光钙钛矿发光二极管及其制备方法有效
申请号: | 202010234139.8 | 申请日: | 2020-03-30 |
公开(公告)号: | CN111430559B | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | 马东阁;陈江山;庞培元;杨德志;乔现锋 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 罗啸秋 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明属于光电器件技术领域,公开了一种蓝光钙钛矿发光二极管及其制备方法。所述蓝光钙钛矿发光二极管的蓝光发光层包括钙钛矿以及掺杂的碱金属卤化物和大基团有机卤化物;所述大基团有机卤化物为有机氯化胺LCl或有机溴化胺LBr,其中L为离子半径>300皮米的正一价有机胺离子。本发明通过大基团有机卤化物和碱金属卤化物的共同作用调控了蓝光钙钛矿的相分布,减少了具有低激子结合能的二维钙钛矿相的形成,提高了其他具有高激子结合能的低维钙钛矿相的形成,从而抑制了强激子‑声子耦合作用造成的激子能量损耗,实现了蓝光钙钛矿发光二极管发光效率的提升。 | ||
搜索关键词: | 一种 蓝光钙钛矿 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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