[发明专利]半导体元件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010234917.3 | 申请日： | 2020-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113394276A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 时国昇;廖宏魁;刘振强 | 申请（专利权）人： | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包括：第一外延层；第二外延层，设置于第一外延层上；第一半导体层，由第二外延层的上方往下延伸而接触第二外延层，其中第一半导体层的纵向延伸区域具有主体部以及在主体部下方且自主体部延伸至第二外延层的延伸部，且主体部的宽度大于延伸部的宽度；以及第二半导体层，设置于第二外延层上并侧向环绕第一半导体层的纵向延伸区域，其中第二半导体层的一部分延伸于第一半导体层的主体部与第二外延层之间，且交叠于第一半导体层的主体部与第二外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力晶积成电子制造股份有限公司，未经力晶积成电子制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010234917.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：试片检测设备
- 下一篇：一种报文传输方法、装置和网络设备
- 同类专利
- 专利分类
