[发明专利]一种对硅片表面进行沉积掺杂的工艺方法在审

专利信息
申请号: 202010236254.9 申请日: 2020-03-30
公开(公告)号: CN111403271A 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 林佳继;庞爱锁;刘群;张武;林依婷 申请(专利权)人: 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司
主分类号: H01L21/205 分类号: H01L21/205;H01L21/223;H01L31/18
代理公司: 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 代理人: 董世博
地址: 518118 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种对硅表面进行沉积掺杂的工艺方法,包括一个能够容纳硅片并能够允许硅在其中进行表面沉积掺杂反应的腔室,所述腔室内能够被通入用于沉积掺杂和/或有利于沉积掺杂的气体,所述的腔室可以是密闭的,所述的腔室内可以被通入或者释放气体,所述的腔室内可以进行温控或者调压,所述的腔室内所述工艺方法在沉积掺杂的反应过程中轮流间隔地通入不同或相同的气体。本发明有益于提高掺杂浓度,并且有益于提高掺杂源的均匀分布。
搜索关键词: 一种 硅片 表面 进行 沉积 掺杂 工艺 方法
【主权项】:
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