[发明专利]一种纳米P-N异质结及其制备和应用有效
| 申请号： | 202010236730.7 | 申请日： | 2020-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN111454697B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 李耀刚;吴波;侯成义;王宏志;张青红 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | C09K5/14 | 分类号： | C09K5/14;C01B19/04;C01B19/02 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 | 代理人： | 宋旭 |
| 地址： | 201620 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种纳米P‑N异质结及其制备和应用，所述异质结中的P型半导体为碲纳米线，N型半导体为碲化铋纳米片。本发明制备的纳米P‑N异质结具有超高的Seebeck系数，在热电转换与制冷领域有重要的科学价值和广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 异质结 及其 制备 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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