[发明专利]一种缺碳型高熵过渡金属碳化物陶瓷材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202010236743.4 | 申请日： | 2020-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN111533559A | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 刘吉轩;韦小凤;张国军;李飞 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | C04B35/56 | 分类号： | C04B35/56;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 魏峯 |
| 地址： | 201620 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种缺碳型高熵过渡金属碳化物陶瓷材料及其制备方法。该方法包括：将五种过渡金属氧化物与炭黑或石墨共混，干燥，以无压炉在真空状态下热处理，冷却，得到单相高熵碳化物；然后与金属单质或不同金属单质的混合物共混，干燥，放电等离子烧结。该方法工艺简单、可操控性强、容易实现规模化等优点；制备得到的缺碳型高熵碳化物陶瓷内部存在大量碳空位和高熵化带来的晶格畸变，有利于进一步降低材料的热导率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 缺碳型高熵 过渡 金属 碳化物 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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