[发明专利]一种横向功率半导体器件有效
| 申请号： | 202010237081.2 | 申请日： | 2020-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN111430448B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 乔明;李怡;张书豪;袁章亦安;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种横向功率半导体器件，包括直线结终端结构与曲率结终端结构：直接结终端结构包括：漏极第一类型重掺杂接触区、第一类型掺杂漂移区、第二类型掺杂衬底、栅极多晶硅、源极第一类型重掺杂接触区、源极第二类型重掺杂接触区、第二类型掺杂体区、栅极氧化层；曲率结终端结构包括：漏极第一类型重掺杂接触区、第一类型掺杂漂移区、第二类型掺杂衬底、栅极多晶硅、源极第二类型重掺杂接触区、第二类型掺杂体区、栅极氧化层、漂移区表层第二类型掺杂区、漂移区内第二类型掺杂区、条形可变掺杂区、轻掺杂第一类型掺杂漂移区；本发明降低第一类型掺杂漂移区浓度，缓解了因曲率半径小而导致的提前击穿情况，并且不会占用额外的芯片面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
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