[发明专利]一种三维存储器及其制作方法有效
| 申请号： | 202010237166.0 | 申请日： | 2020-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN111403395B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 杨盛玮;韩坤 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/20;H10B43/35;H10B43/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李婷婷 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供一种三维存储器及其制作方法，所述制作方法包括：提供阵列晶圆和CMOS晶圆，在阵列晶圆和CMOS晶圆键合之前，所述阵列晶圆上已经制作完成贯穿接触部，从而减少了3D NAND制作过程中，给CMOS晶圆上的CMOS器件引入等离子导致损坏(PID)，使得制作贯穿接触部时使用的等离子体刻蚀工艺对CMOS晶圆上的CMOS器件不造成影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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