[发明专利]含硅负极材料的折返式补锂方法及负极片、电池在审
| 申请号： | 202010237328.0 | 申请日： | 2020-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN111560595A | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 谭志;张艳芳;虞文韬 | 申请（专利权）人： | 维达力实业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/56 | 分类号： | C23C14/56;C23C14/34;C23C14/35;C23C14/18;C23C14/16;C23C14/08;C23C14/06;C23C14/54;H01M4/04;H01M4/131;H01M4/1391;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 李睿 |
| 地址： | 518129 广东省深圳市龙岗区坂田街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种含硅负极材料的折返式补锂方法及负极片、电池，该方法包括如下步骤：将含硅负极材料形成于集流体上制得基片；将基片进行预加热，并将基片在真空条件的氛围下采用真空溅射的方式进行补锂；其中预加热的温度高于氛围的温度且低于补锂的靶材的熔点，氛围的温度为30℃～130℃；在真空溅射的步骤中，基片上第一侧表面的第一、第二区域相对设置，基片上第二侧表面的第三、第四区域相对设置；补锂的靶材的数量为多个且为双向溅射靶材，其中有部分靶材同时对基片的第一区域和第二区域进行补锂，还有部分靶材同时对基片的第三区域和第四区域进行补锂；补锂的靶材的材质为金属锂、锂硅合金、锂硼合金、锂硫合金、氧化锂、氮化锂或碳化锂中的一种。 | ||
| 搜索关键词： | 负极 材料 折返 式补锂 方法 电池 | ||
【主权项】：
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