[发明专利]SiC晶体生长装置及方法在审
| 申请号： | 202010240314.4 | 申请日： | 2020-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN111304746A | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 邓树军;张洁;汪良;付芬 | 申请（专利权）人： | 福建北电新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京超成律师事务所 11646 | 代理人： | 陈治位 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种SiC晶体生长装置及方法，涉及SiC晶体制备技术领域，包括饼形坩埚和加热机构；饼形坩埚包括中空的内腔，内腔的中心设置有SiC晶体棒，SiC晶体棒的两端分别与内腔的上端面和下端面抵接；内腔的周向设置有SiC原料，且SiC原料和SiC晶体棒之间具有间隙；加热机构设置在所述饼形坩埚的外部，用于构建从SiC原料到SiC晶体棒的温度逐渐递减的温度场，以使SiC原料加热升华后的气体能够向SiC晶体棒方向扩散，并沉积在SiC晶体棒的侧壁上，使SiC晶体棒在侧向上生长变大，从而将小尺寸SiC晶体棒生长成大尺寸晶体，不需要多次更换坩埚扩径，良品率高，扩径时间短。 | ||
| 搜索关键词： | sic 晶体生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
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