[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010240593.4 | 申请日： | 2020-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN111953331A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 宫沢繁美 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H03K17/567 | 分类号： | H03K17/567 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 周爽;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置，即使将功率半导体元件导通控制时的控制信号的电压因噪声混入而急剧下降，也能够可靠地维持导通控制。设定功率半导体元件的阈值的阈值设定部构成为，通过二极管向电阻与切断信号生成部的电源端子之间的连接部供给蓄积于功率半导体元件的栅极电容的电荷，电阻将输入到输入端子的控制信号Vin的电压降低为电压信号Vs，切断信号生成部将电压信号Vs作为动作电源。即使控制信号Vin的电压在功率半导体元件的导通控制中急剧下降，电压信号Vs也接受蓄积于功率半导体元件的栅极电容的电荷的供给，由此避免电压下降，防止切断信号生成部的误动作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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