[发明专利]一种近红外/可见光/紫外集成光谱成像器件及成像方法有效
申请号: | 202010241221.3 | 申请日: | 2020-03-31 |
公开(公告)号: | CN111477644B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 雷威;蔡毅;王昕;李青;张晓兵;朱卓娅;赵志伟;徐玉冰;潘禹竹;李雨巍 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N25/779;H04N25/78 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 姜慧勤 |
地址: | 210096 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种近红外/可见光/紫外集成光谱成像器件及成像方法,成像器件从下往上依次为:透明基板、透明电极、短波势垒调节层、短波光电转换层、中波势垒调节层、中波光电转换层、长波势垒调节层、长波光电转换层、钝化层、收集电极。成像方法为:首先利用单色光源对成像器件在不同波长光谱通道的响应度进行标定;其次调控成像器件的偏置电压,对应每个空间点获得一系列探测电流值;最后根据标定的不同光谱通道响应度,以及不同偏置电压的探测电流值,通过波分复用算法计算出每个空间点的光谱信息,获得光谱成像数据立方。本发明实现从近红外到紫外的宽光谱成像,利用偏置电压编码和波分复用算法重构,可以同时获得较高的光谱和空间分辨率。 | ||
搜索关键词: | 一种 红外 可见光 紫外 集成 光谱 成像 器件 方法 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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