[发明专利]芯片封装结构形成方法在审

专利信息
申请号: 202010241337.7 申请日: 2020-03-31
公开(公告)号: CN112151391A 公开(公告)日: 2020-12-29
发明(设计)人: 李苓玮;张容华;黄震麟 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/48;H01L23/488
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 谢强;黄艳
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本公开实施例提供一种芯片封装结构形成方法。此方法包括在第一基板中形成导孔结构。此方法包括将芯片接合到第一基板的第一表面。此方法包括在第一基板的第二表面上方形成阻障层。此方法包括在阻障层上方形成第一绝缘层。此方法包括在第一绝缘层上方以及在第一开口、第二开口、第三开口中形成导电垫。导电垫从导孔结构连续地延伸到第三开口中。此方法包括在第三开口中的导电垫上方形成导电凸块。
搜索关键词: 芯片 封装 结构 形成 方法
【主权项】:
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