[发明专利]基于氮化铝/氮化硅堆叠结构和BCB桥的抗质子辐照InP基HEMT器件有效
| 申请号： | 202010241787.6 | 申请日： | 2020-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN111403482B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 钟英辉;张佳佳;靳雅楠;赵向前;孟圣皓 | 申请（专利权）人： | 郑州大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L23/29;H01L23/552;H01L21/335;G03F7/00 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人： | 付艳丽 |
| 地址： | 450001 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： |
本发明属于抗质子辐照半导体器件技术领域，具体涉及一种基于氮化铝/氮化硅堆叠结构和BCB桥的抗质子辐照InP基HEMT器件。所述InP基HEMT表面通过覆盖AlN/Si |
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| 搜索关键词： | 基于 氮化 堆叠 结构 bcb 质子 辐照 inp hemt 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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