[发明专利]一种基于复合沟道和双掺杂层的抗质子辐照InP基HEMT器件及其加工方法有效
| 申请号： | 202010242429.7 | 申请日： | 2020-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN111370484B | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 钟英辉;张佳佳;赵向前;靳雅楠;孟圣皓 | 申请（专利权）人： | 郑州大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/205;H01L21/335 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人： | 付艳丽 |
| 地址： | 450001 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明属于抗质子辐照半导体器件技术领域，具体涉及一种基于复合沟道和双掺杂层的抗质子辐照InP基HEMT器件及其加工方法。本发明中InP基HEMT沟道采用InGaAs/InAs/AlInGaAs复合沟道，InAs材料电子有效质量低沟道载流子迁移率高且禁带宽度窄将形成深势阱增强沟道限制载流子能力，AlInGaAs材料Al位移阈能较高将减少沟道诱生缺陷浓度而产生更弱的散射效应，对载流子迁移率实现补偿。采用沟道上方双掺杂结构，增加沟道原生载流子浓度，实现对辐照诱生缺陷造成的载流子去除效应的补偿。外延结构中InAlAs势垒层和InGaAs帽层之间加入InP薄层作为栅槽工艺帽层腐蚀的自动截止层，实现对栅槽工艺的精确控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 复合 沟道 掺杂 质子 辐照 inp hemt 器件 及其 加工 方法 | ||
【主权项】：
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