[发明专利]一种等离子体源及其用于镀膜的装置、系统和方法有效
申请号: | 202010244346.1 | 申请日: | 2020-03-31 |
公开(公告)号: | CN111394707B | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
发明(设计)人: | 吴忠振;李体军;崔岁寒 | 申请(专利权)人: | 北京大学深圳研究生院 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文 |
地址: | 518055 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本公开提供了一种等离子体源及其用于镀膜的装置、系统和方法,等离子体源包括:中空圆柱筒状外壳,及层设于所述外壳内的冷却系统、绕制线圈、套筒和磁控靶,所述磁控靶嵌于所述套筒内,所述冷却系统靠近所述套筒设置。通过调节绕制线圈电流,进而调节靶面磁场强度使得靶面磁场始终保持不变,随着靶面刻蚀深度的增加,在靶面形成平行于轴线的均匀、可控的磁场。在靶面形成平行于轴线的磁场可以将电子束缚在靶面,增加等离子体源内部电子浓度,提高溅射材料的离化率和放电稳定性,有效解决靶材刻蚀不均匀、利用率低、磁铁高温退磁等问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 等离子体 及其 用于 镀膜 装置 系统 方法 | ||
【主权项】:
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