[发明专利]一种等离子体源及其用于镀膜的装置、系统和方法有效

专利信息
申请号: 202010244346.1 申请日: 2020-03-31
公开(公告)号: CN111394707B 公开(公告)日: 2023-05-09
发明(设计)人: 吴忠振;李体军;崔岁寒 申请(专利权)人: 北京大学深圳研究生院
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文
地址: 518055 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本公开提供了一种等离子体源及其用于镀膜的装置、系统和方法,等离子体源包括:中空圆柱筒状外壳,及层设于所述外壳内的冷却系统、绕制线圈、套筒和磁控靶,所述磁控靶嵌于所述套筒内,所述冷却系统靠近所述套筒设置。通过调节绕制线圈电流,进而调节靶面磁场强度使得靶面磁场始终保持不变,随着靶面刻蚀深度的增加,在靶面形成平行于轴线的均匀、可控的磁场。在靶面形成平行于轴线的磁场可以将电子束缚在靶面,增加等离子体源内部电子浓度,提高溅射材料的离化率和放电稳定性,有效解决靶材刻蚀不均匀、利用率低、磁铁高温退磁等问题。
搜索关键词: 一种 等离子体 及其 用于 镀膜 装置 系统 方法
【主权项】:
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