[发明专利]一种局部漫反射封装材料及其应用在审
申请号: | 202010244693.4 | 申请日: | 2020-03-31 |
公开(公告)号: | CN111490121A | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 施瑕玉;李政;林俊良;林金锡;林金汉 | 申请(专利权)人: | 常州汉韦聚合物有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/054 |
代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 马晓敏 |
地址: | 213000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明属于封装材料技术领域,具体涉及一种局部漫反射封装材料及其应用。所述局部漫反射封装材料包括至少两层胶膜层,一层为透明封装胶膜层,一层为间隔设置的条状高漫反射封装胶膜层,所述高漫反射封装胶膜层表面设置若干不规则的凸起,所述高漫反射封装胶膜层等于或高于所述透明封装胶膜层设置,且高度差小于0.1mm。有益效果:本发明的局部漫反射封装材料增大了反射光的作用面积,使电池片能获得更多的反射光,进而提高光的利用率;且版型适用范围广,有利于提高组件生产效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 局部 漫反射 封装 材料 及其 应用 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的