[发明专利]一种硅柱晶圆光刻方法有效
| 申请号： | 202010247025.7 | 申请日： | 2020-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN111273517B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 杨宁;贺欣;赵永勋;卫路兵 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 李晓晓 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅柱晶圆光刻方法，通通过将带有光刻胶感光层的硅片衬底表面均分成多个区域，从其中一个区域按设定曝光视场值开始进行旋转曝光，将多个区域按照设定移动距离依次移动至曝光镜头下进行旋转曝光，设定曝光视场值比按掩模板上图形大小预定的曝光视场值大30μm～60μm，设定移动距离比均分区域大0.3μm～0.5μm，旋转曝光的旋转值为‑5μrad～5μrad；通过对曝光视场值、每个区域曝光时移动距离进行调整，然后采用旋转曝光，确保各区曝光过程中部分区重叠，从而减轻了硅柱产品光刻场效应，通过该方法可显著的减轻光刻场效应，肉眼看不见格线，显微镜下观察重复区域交界处无明显色差，在CD SEM下重复区域交界处图形无明显差异。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅柱晶 圆光 方法 | ||
【主权项】：
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