[发明专利]一种使用缓冲层增强太阳光对金属薄膜磁性调控的方法在审
| 申请号： | 202010247202.1 | 申请日： | 2020-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN111416037A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 刘明;周子尧;胡忠强;赵一凡;赵梦 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;C23C14/02;C23C14/20;C23C14/35 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 贺小停 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种使用缓冲层增强太阳光对金属薄膜磁性调控的方法，包括以下步骤：步骤1，薄膜的制备；步骤2，旋涂/沉积缓冲层；步骤3，光伏活性层的旋涂：将选定的光伏活性层旋涂在缓冲层上；步骤4，生长电极：制备器件顶电极；步骤5，使用太阳光进行调控。本发明采用的插入缓冲层增加太阳光调控金属薄膜的调控量的方法，适用于其他可见光源，太阳光属于可再生能源极大地降低了能耗、成本，调控量的增大为实际应用提供了可能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 使用 缓冲 增强 太阳光 金属 薄膜 磁性 调控 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学，未经西安交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010247202.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
