[发明专利]浅沟槽隔离结构的制备方法在审
| 申请号： | 202010250776.4 | 申请日： | 2020-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN111244024A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 戴鸿冉 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/308;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有硬掩膜层。采用干法刻蚀工艺刻蚀所述硬掩膜层以形成图形化的硬掩膜层。以所述图形化的硬掩膜层为掩膜，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述衬底，以在所述衬底中形成沟槽。对所述沟槽执行填充工艺，以在所述沟槽中形成浅沟槽隔离结构。其中，由于在刻蚀所述衬底时会不可避免的刻蚀到所述硬掩膜层，易造成削角问题。因此，在刻蚀所述衬底时采用的刻蚀气体对所述硬掩膜层的刻蚀速率低于刻蚀所述硬掩膜层时采用的刻蚀气体对所述硬掩膜层的刻蚀速率，以使在刻蚀所述衬底时，降低刻蚀气体对硬掩膜层的影响，从而能够缓解削角问题，提高所述浅沟槽隔离结构整体轮廓尺寸的精准度。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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