[发明专利]一种侧向场FBAR结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202010251220.7 | 申请日： | 2020-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN111277237A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 河源市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/13;H03H9/17;H03H9/46;H03H3/007;H03H3/02 |
| 代理公司： | 广州凯东知识产权代理有限公司 44259 | 代理人： | 李勤辉 |
| 地址： | 517000 广东省河源市高新技术开*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种侧向场FBAR结构及其制造方法，结构包括：衬底，键合层，压电层和电极。具体的，在其中一硅衬底上依次生长电极层和压电层，在压电层上生长键合层，对另一硅衬底刻腔，生长键合层，对两晶圆片对准键合，去除掉生长电极层的硅，再对电极图形化；通过本发明公开的一种侧向场FBAR结构及其制造方法，通过键合实现薄膜转移，使得压电层和电极层在硅衬底上生长，避免了传统的在化学机械抛光后的不完全平面生长的薄膜质量下降，而另一方面，实体键合可以相对带腔的键合提升键合的良率，该FBAR可以制造应用于传感器及滤波器中，在具体应用中有良好的性能表现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 侧向 fbar 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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