[发明专利]无机突触晶体管结构与制造方法在审
| 申请号： | 202010251422.1 | 申请日： | 2020-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN111739935A | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 钟高阔;李江宇;訾孟飞;唐铭锴;黄明强;任传来 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/51;H01L29/78;H01L21/34;H01L21/44;G06N3/063 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 任志龙 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种无机突触晶体管结构与制造方法，结构包括：柔性衬底；在衬底上形成的缓冲层；在缓冲层上形成的底栅电极；在底栅电极上形成的外延栅介质层；在外延栅介质层上形成的沟道层；在沟道层上设置的源电极和漏电极。本发明制备的突触晶体管有效地克服了采用离子液体或固体电解质为栅介质的突触晶体管难以实现小型化、集成化以及器件线性度、对称性相对较差、不耐高温等缺点。本发明方法制备的突触晶体管具有柔性耐弯折，耐高温，在弯折情况下或者100℃下仍能保持性能基本不变，每个设备的学习过程中的能量消耗仅为10‑30 pJ，这都将有利于其在高精度人工神经形态计算领域的实际应用。 | ||
| 搜索关键词： | 无机 突触 晶体管 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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