[发明专利]一种MOSFET器件及其制备工艺有效
| 申请号： | 202010252825.8 | 申请日： | 2020-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN111430449B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 清纯半导体（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李亚南 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明提供的MOSFET器件及其制备方法，漂移层上设置有若干阱区，相邻所述阱区之间设置有JFET区，其中所述阱区的深度L |
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| 搜索关键词： | 一种 mosfet 器件 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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