[发明专利]一种IGBT功率元件测温结构及功率系统在审

专利信息
申请号: 202010253253.5 申请日: 2020-04-02
公开(公告)号: CN111366831A 公开(公告)日: 2020-07-03
发明(设计)人: 徐元龙;彭国平;史奔;王红占;张佩刚;李杰杰 申请(专利权)人: 广东安朴电力技术有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01R1/18;H02M1/00;H02M1/44
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 何嘉杰
地址: 528437 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种IGBT功率元件测温结构及功率系统,包括散热模组以及测温部件,所述散热模组与IGBT功率元件连接以为所述IGBT功率元件散热,所述测温部件与散热模组连接以通过检测所述散热模组的温度来反映所述IGBT功率元件的温度,本设计能够间接地反映出IGBT功率元件的温度,并且散热模组上一般具有绝缘结构,或者在散热模组上更容易布置绝缘结构,从而便于对测温部件规格的选取以及布置,能够兼容更高等级的输电拓扑,也使得检测更加可靠稳定。
搜索关键词: 一种 igbt 功率 元件 测温 结构 系统
【主权项】:
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