[发明专利]三维存储器及其制备方法

摘要

本申请提供一种三维存储器及其制备方法，包括：在衬底的表面形成绝缘层；刻蚀绝缘层以形成虚拟阶梯结构；在虚拟阶梯结构背离绝缘层的表面形成堆叠结构，其中，堆叠结构包括核心区和位于核心区周缘的台阶区；刻蚀位于台阶区的堆叠结构以形成沿第一方向排列的多个高度相同的阶梯结构，其中，第一方向为台阶区指向核心区的方向；在每一阶梯结构的每一级台阶的一侧形成导电插塞，其中，每一阶梯结构的每一级台阶均包括栅极层，每一导电插塞均与对应的台阶的栅极层电连接。本申请的解决了现有技术中随着堆叠层数和堆叠高度的不断增加，单次刻蚀出所有接触部的难度也会越来越大，易导致工艺和物料成本的增加的问题。