[发明专利]一种基于叉指结构的横向肖特基二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 202010255504.3 | 申请日： | 2020-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN111477678B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 杨凌;王军;宓珉瀚;侯斌;张蒙;马晓华;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/45;H01L29/47;H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李园园 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于叉指结构的横向肖特基二极管及其制备方法，二极管包括：衬底，依次位于衬底上的AlN成核层、GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层、SiN钝化层、介质层；第一凹槽，贯穿介质层、SiN钝化层、AlGaN势垒层；第二凹槽中第一部分贯穿介质层、SiN钝化层、部分AlGaN势垒层，第二部分贯穿另一部分AlGaN势垒层、AlN插入层和部分GaN缓冲层；阴极沉积有第一欧姆金属；阳极包括若干第二欧姆金属，以及第一凹槽和第二凹槽沉积的若干阳极金属，若干第二欧姆金属与第二凹槽内若干阳极金属交替分布呈叉指结构。本发明阳极采用欧姆加肖特基叉指结构，由于阳极的肖特基接触和欧姆接触处于同一列，反向偏压时将引入较多的肖特基耗尽区，从而提高了器件的反向击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 结构 横向 肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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