[发明专利]探测器芯片及其制备方法

摘要

本发明涉及一种探测器芯片，包括碲镉汞薄膜和芯片结构，芯片结构包括pn结、读出电路和铟柱，pn结形成于碲镉汞薄膜的背面上，读出电路位于碲镉汞薄膜的背面侧并且通过铟柱与pn结连接。另外还涉及探测器芯片的制备方法，包括：将碲镉汞薄膜固定于载体上，其中，碲镉汞薄膜的正面朝向载体；去除碲镉汞薄膜背面的衬底；在碲镉汞薄膜背面上形成pn结，该pn结通过铟柱连接读出电路；去除载体。本发明提供的探测器芯片及其制备方法，通过在碲镉汞薄膜背面成结，该pn结即形成于碲镉汞薄膜的背面高组分材料区(也即外延界面处)，可以防止芯片反型，降低探测器芯片的漏电流，增强芯片响应信号，从而显著地提高探测器的工作性能。