[发明专利]磁电容元件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010258254.9 | 申请日： | 2020-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN111509121B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 张营堂;刘华祝;张静 | 申请（专利权）人： | 河南工学院 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京清诚知识产权代理有限公司 11691 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 453000 *** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种磁电容元件及其制备方法。该磁电容元件包括：磁性合金薄膜；以及位于磁性合金薄膜两侧的铁电薄膜。本公开磁电容元件中，形成了铁电/铁磁/铁电的三明治结构，通过磁场对磁性合金薄膜的自旋电荷耦合作用调控铁电薄膜的介电极化，在室温附近即可获得较为明显的磁电容效应，介电损耗更低，实用性更强。 | ||
| 搜索关键词： | 磁电 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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