[发明专利]一种无机柔性和塑性半导体单晶InSe材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202010259005.1 | 申请日： | 2020-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN113493924B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 史迅;魏天然;金敏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所;上海交通大学;上海电机学院 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/46;C30B33/02 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 郑优丽;牛彦存 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种无机柔性和塑性半导体单晶InSe材料及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：（1）分别称量In和Se的高纯颗粒作为初始原料，其中In和Se的摩尔比为47:53~53:47；（2）将所述初始原料真空封装，在摇摆炉中升温至熔融温度600‑900℃并保温0.5‑5小时后冷却，得到多晶棒；（3）将多晶棒真空封装，放置在位于三温区立式布里奇曼炉上部的高温区，以0.5‑3mm/h的速度下降并经过温度梯度为5‑20℃/cm的梯度区，随后进入位于三温区立式布里奇曼炉下部的低温区，待晶体生长完成获得单晶；（4）将得到的单晶进行退火。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无机 柔性 塑性 半导体 inse 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所;上海交通大学;上海电机学院，未经中国科学院上海硅酸盐研究所;上海交通大学;上海电机学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010259005.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种打草机
- 下一篇：一种带前置多孔导流板的紫外线辐射流体处理系统
